මෙම මස මුලදී චීනයේ Fudan විශ්වවිද්‍යාලය විසින් Poxiao නම් නව Flash Memory Technology එක හඳුන්වා දුන්නා. මෙය ලොව වේගවත්ම Flash Memory Technology එක ලෙස හඳුන්වා දෙන්න පුලුවන්.
ඒ අනුව මේ නව Poxiao Hard Drive එකට ඔස්සේ Picoseconds 400කින් Data Rewrite සහ Erase කිරීමේ හැකියාව තිබෙනවා. එනම් මෙය දැනට තියෙන Hard Driveවලට වඩා 100,000 ගුණයකින් වේගවත් වනවා.
මේ පිළිබඳව අන්තර්ජාලය තුළ වාර්තා වන තොරතුරුවලට අනුව, මේ Flash Memory තාක්ෂණය සඳහා Ferroelectric Tunnel Junction (FTJ) භාවිතා කරනු ලබන අතර ර් ඔස්සේ ඉලෙක්ට්‍රෝනික ධාරාවන් ඉතා ඉක්මනින් මාරු කරන්න පුළුවන්. එමෙන්හ දැනට තියෙන NAND Flash Memory එකට වඩා මෙහි බලශක්ති පරිභෝජනයත් අඩු වනවා.
- වේගය: තත්පරයකට බිට් බිලියන 25ක දත්ත ලිවීම.
- ප්‍රතිචාර කාලය: 400 picoseconds ඇතුළත දත්ත ලිවීම සහ මකා දැමීම.
- බලශක්ති කාර්යක්ෂමතාව: FTJ තාක්ෂණය නිසා බලශක්ති පරිභෝජනය 50%කින් පමණ අඩුයි.
- භාවිතය: AI, cloud computing, big data processing වගේ අධි-වේග ගබඩාවක් ඕනෑ කරන ක්ෂේත්‍රවලට ගැලපෙනවා.
Poxiao හි එළිදැක්වීම තාක්ෂණික ලෝකයේ ලොකු වෙනසක් ඇති කරන්න ඉඩ තිබෙන අතර මේ තාක්ෂණය data centers, supercomputers, සහ consumer electronics ආදියේ භාවිතයට යොදා ගනු ඇතැයි බලාපොරොත්තු වන්න පුලුවන්.
Source: bgr.com timesofindia.indiatimes.com
